进一步推进国产半导体行业！国产存储芯片领域再创佳绩！_新闻1：存储芯片领域中国迎来打破美日

新闻1：存储芯片领域中国迎来打破美日韩垄断关键一战

港媒称，紫光集团旗下长江存储近日宣布，已开始量产基于自主研发Xtacking架构的64层三维闪存（3D NAND），容量为256Gb，以满足固态硬盘（SSD）嵌入式存储等主流市场应用的需求，这也是中国首款64层三维闪存芯片，将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内，被视为中国打破美日韩垄断关键一战。

据香港《大公报》近日报道，长江存储官网消息，上海中国国际半导体博览会举行前夕，公司宣布已开始量产基于XtackingR架构的64层“三阶储存单元”3D NAND闪存。作为中国首款64层3D NAND闪存，该产品将亮相博览会紫光集团展台。

所谓3D NAND是通过将原本平铺的储存单元堆叠起来，形成多层结构提供容量，使原本只有1层的储存单元堆叠成64层或更多层。

缩短产品上市周期

报道指出，长江存储64层三维闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高存储密度。创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道（VIA）将两片晶圆键合，相比传统三维闪存架构可带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。