进一步推进国产半导体行业！国产存储芯片领域再创佳绩！( 二 )_新闻1：存储芯片领域中国迎来打破美日

长江存储相关负责人向《大公报》表示，长江存储64层三维闪存产品的量产，将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内。

紫光集团联席总裁刁石京表示，长江存储进入到这个领域之前，国内一直没有大规模存储芯片的生产，未来，随着云计算、大数据的发展，人类对数据存储要求是越来越高，三维闪存存储芯片是高端芯片一个重要领域，它的量产也标志着中国离国际先进水平又大大跨近一步，把中国产品水平跟海外的先进水平缩短到了一代。

明年底月产六万片晶圆

报道称，存储芯片竞争激烈，三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨头在产能上持续投入。2018年，64层、72层的3D NAND闪存就已经是主力产品，2019年开始量产92层、96层的产品，到2020年，大厂们即将进入128层3D NAND闪存的量产。

业界有关人士分析，长江储存发展迅速，但目前表态保守，其虽然未公布量产规模，预计2020年底其可望将产能提升至月产6万片晶圆的水平。

据报道，长江存储64层三维闪存产品的量产有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。在美日韩大厂垄断下，长江存储的64层3D NAND闪存量产消息别具意义。

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