帮助三星提前掌握FinFET技术，领先台积电

之前，芯片都是采用MOSFET 的结构，到现在已使用超过 40 年，当半导体研发人员想要研发20纳米以下芯片的时候发现，当闸极长度缩小到 20 纳米以下的时候，遇到了许多问题，其中最麻烦的是当闸极长度愈小，源极和汲极的距离就愈近，闸极下方的氧化物也愈薄，电子有可能偷偷溜过去产生“漏电”；另外一个更麻烦的问题，原本电子是否能由源极流到汲极是由闸极电压来控制的，但是闸极长度愈小，则闸极与通道之间的接触面积愈小，也就是闸极对通道的影响力愈小。

所以20纳米以下的芯片需要采用全新的FinFET 技术，也叫做鳍式场效电晶体。鳍式场效电晶体是闸极长度缩小到 20 奈米以下的关键，拥有这个技术的制程与专利，才能确保未来在半导体市场上的竞争力。

而这个技术的发明人是胡正明教授，也就是梁孟松的老师，当梁孟松跳槽到了三星之后，台积电在研发20纳米以下芯片的时候，才发现了这个问题。