ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列( 二 )
近年来,随着AI和IoT的发展与普及,对云服务的需求日益增加,与此同时,在全球范围对数据中心的需求也随之增长。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展,而如何降低功耗量就成为一个亟需解决的课题。另一方面,以往服务器的功率转换电路中,主要采用的是硅(Si)元器件,如今,损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特别是采用了TO-247-4L封装的SiC MOSFET,与以往封装相比,可降低开关损耗,因此有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中。
2015年,ROHM于全球第一家成功实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产,并一直致力于领先于行业的产品开发。此次新开发出650V/1200V耐压的低损耗SiC MOSFET,未来也会继续推进创新型元器件的开发,同时提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动器IC等在内的解决方案,为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。
采用4引脚封装(TO-247-4L),开关损耗降低约35%
在传统的3引脚封装(TO-247N)中,源极引脚的电感分量※2)会引起栅极电压下降,并导致开关速度延迟。
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