ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列( 四 )
开始销售时间2019年9月
评估板型号P02SCT3040KR-EVK-001
网售平台 AMEYA360、icHub
支持页面https://www.rohm.com.cn/power-device-support
评估板的构成
※1 沟槽栅结构
沟槽(Trench)意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽,并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻,比平面结构更容易实现微细化,有望实现接近SiC材料原本性能的导通电阻。
※2 电感分量
表示电流变化时由电磁感应产生的电动势大小的量。
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