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日本加强对韩国半导体材料出口管控，是否会影响三星的5G布局？( 四 )

IC 光刻工艺经历数道过程

集成电路光刻工艺是指利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底（硅晶圆）上。基本原理是利用光刻胶感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。

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光刻工艺之前先要进行硅片清洗，目的是去除污染物，去除颗粒，减少针孔和其他缺陷，提高光刻胶粘附性。基本步骤为化学清洗、漂洗、烘干。

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接下来是预烘和底胶涂覆工艺，光刻胶中含有溶剂，硅片脱水烘焙能去除圆片表面的潮气、增强光刻胶与表面的黏附性，这是与底胶涂覆合并进行的，底胶涂覆增强光刻胶(PR)和圆片表面的黏附性。广泛使用 (HMDS)六甲基二硅胺、在 PR 旋转涂覆前 HMDS 蒸气涂覆、PR 涂覆前用冷却板冷却圆片。

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