日本加强对韩国半导体材料出口管控，是否会影响三星的5G布局？( 五 )

2019-07-31

第三步就是进行光刻胶涂覆，在涂光刻胶之前，先在 900-1100 度湿氧化，湿氧化后从容器中取出光刻胶滴布到样品表面，将样品置于涂胶机上高速旋转，胶在离心力的作用下向边缘流动。涂胶的质量直接影响到所加工器件的缺陷密度。为了保证线宽的重复性和接下去的显影时间，同一个样品的胶厚均匀性和不同样品间的胶厚一致性不应超过±5nm。

第四步进行进行光刻曝光前的烘干，通过在较高温度下进行烘培，使溶剂从光刻胶中挥发出来（前烘后溶剂含量降至 5％左右），从而降低灰尘的沾污。同时，这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，提高光刻胶衬底上的附着性。

烘干后进行对准和曝光工艺，光刻对准技术是曝光前一个重要步骤作为光刻的三大核心技术之一，一般要求对准精度为最细线宽尺寸的 1/7---1/10。曝光即使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射，从而使正光刻胶感光区域、负光刻胶非感光区的化学成分发生变化，利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。曝光方法分为 a、接触式曝光（Contact Printing）掩膜板直接与光刻胶层接触。b、接近式曝光（Proximity Printing）掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为 10～50μm。c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。d、步进式曝光(Stepper)。

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