3D封装技术突破！台积电、英特尔积极引领_：3D封装技术突破！台积电、英特尔积极

科技频道提示您本文原始标题是：3D封装技术突破！台积电、英特尔积极引领来源：拓璞产业研究院

针对HPC芯片封装技术，台积电已在2019年6月于日本VLSI技术及电路研讨会(2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits)中，提出新型态SoIC(System on Integrated Chips)之3D封装技术论文；透过微缩凸块(Bumping)密度，提升CPU/GPU处理器与存储器间整体运算速度。

整体而言，期望借由SoIC封装技术持续延伸，并作为台积电于InFO(Integrated Fan-out)、CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)后端先进封装之全新解决方案。

运用垂直叠合与微缩体积方法，3D封装成功提升HPC工作效率

由于半导体发展技术的突破、元件尺寸逐渐微缩之际，驱使HPC芯片封装发展必须考量封装所需之体积与芯片效能的提升，因此对HPC芯片封装技术的未来发展趋势，除了现有的扇出型晶圆级封装(FOWLP)与2.5D封装外，将朝向技术难度更高的3D封装技术为开发目标。