3D封装技术突破！台积电、英特尔积极引领( 二 )_：3D封装技术突破！台积电、英特尔积极

所谓的3D封装技术，主要为求再次提升AI之HPC芯片的运算速度及能力，试图将HBM高频宽存储器与CPU/GPU/FPGA/NPU处理器彼此整合，并藉由高端TSV(硅穿孔)技术，同时将两者垂直叠合于一起，减小彼此的传输路径、加速处理与运算速度，提高整体HPC芯片的工作效率。

台积电与Intel积极推出3D封装，将引领代工封测厂一并跟进

依现行3D封装技术，由于必须垂直叠合HPC芯片内的处理器及存储器，因此就开发成本而言，比其他两者封装技术(FOWLP、2.5D封装)高出许多，制程难度上也更复杂、成品良率较低。

目前3D封装技术已对外公告的最新成果，现阶段除了半导体代工制造龙头台积电最积极，已宣布预计于2020年导入量产SoIC和WoW(Wafer on Wafer)等3D封装技术外，另有IDM大厂Intel也提出Foveros之3D封装概念，将于2019下半年迎战后续处理器与HPC芯片之封装市场。

随着半导体代工制造商与IDM厂陆续针对3D封装技术投入研发资源，也将引领另一波3D封测技术风潮，相信代工封测厂(如日月光、Amkor等)也将加紧脚步，跟上此波3D封装技术的发展趋势。

3D封装技术突破！台积电、英特尔积极引领( 二 )