华为布局第三代半导体材料性能为传统硅上千倍_8月26日消息

8月26日消息，近日，华为旗下的哈勃科技投资公司投资了山东天岳先进材料有限公司，并持股10%。

今年4月，华为斥资7亿元成立了一家投资公司，即哈勃科技投资有限公司，由华为投资控股有限公司100%控股；该公司经营范围主要是创业投资业务，董事长以及总经理均为白熠，而且，他还是华为全球金融风险控制中心总裁。

本次接受投资的山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅企业，成立于2011年12月；目前，山东天岳投资建成了第三代半导体产业化基地，具备研发和生产优质半导体衬底材料的软硬件条件。

今年2月，山东天岳的碳化硅功率半导体芯片及电动汽车模组研发与产业化项目；据了解，该项目是济南2019年市级重点项目之一，总投资6.5亿元，总占用厂房面积为2400平方米，碳化硅功率芯片生产线和碳化硅电动汽车驱动模块生产线各一条。

所谓碳化硅（SiC）是碳（C）元素和硅（Si）元素形成的化合物，也是第三代半导体材料代表之一。跟传统半导体材料硅相比，它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显的优势，可以广泛应用于大功率高频电子器件、半导体发光二极管（LED），以及诸如5G通讯、物流网等微波通讯领域，并被列入《国家中长期科学和技术发展规划纲要》。