台积电（TSM.US）黄汉森：2050年晶体管能做到0.1纳米，氢原子尺度！( 五 )_：台积电（TSM.US）黄汉森：2050年晶体

从对数图上看，晶体管密度还在增加，而且在可预见的未来内还会继续增加，至于时钟速度和运行效率等人们同样关心的新属性，实际上超出了摩尔定律的范围。

海量数据的流动和转移的需求越来越高，内存访问决定了计算的能源效率。

深度神经网络需要大量的内存容量，而且内存紧缺的问题将来还会更加突出。芯片上需要更多数量的SRAM，但永远都不够，

现有的系统中，大部分都是2D和2.5D，用的是TSV，我们需要再向前迈进一步，进入3D。

而下一步就是Beyond 3D，它实现了逻辑和内存的多层整合，在纳米级尺度上实现了高密度的TSV工艺，即“N3XT级”系统。

研究表明，具备上述条件的内存可以使系统级收益增加近2000倍，当然，以现有技术很难实现。在上层很难构建高性能晶体管，因为制造时需要1000度高温条件，内存层会融化。

要想实现上面说的理想的系统，需要超薄的设备层和较低的制造温度。

近年来，晶体管技术实现了不少进步，出现了2D层材料过度金属设计，1D碳纳米管设计等，这些材料非常轻薄，大大降低了晶体管的沟道宽度，但仍保持高迁移率水平。

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