EUV光刻机将如何发展?

AI、5G应用推动芯片微缩化,要实现5nm、3nm等先进制程,意味着需要更新颖的技术支援以进行加工制造,半导体设备商遂陆续推出新一代方案。AI、5G应用推动晶片微缩化,要实现5nm、3nm等先进制程,意味着需要更新颖的技术支援以进行加工制造,为此,艾司摩尔(ASML)持续强化极紫外光(EUV)微影系统效能。

艾司摩尔(ASML)资深市场策略总监Boudewijn Sluijk表示,VR/AR、自动驾驶、5G、大数据及AI等,持续推动半导体产业发展,为满足各式应用、资料传输,以及演算法需求,芯片效能不断提高的同时,还须降低成本,而极紫外光(EUV)在先进制程中便扮演关键的角色。

Sluijk进一步指出,过往采用ArFi LE4 Patterning或是ArFi SAQP进行曝光的话,要实现7nm、5nm,须经过许多步骤。例如用ArFi LE4 Patterning需要4个光罩、4次曝光,用ArFi SAQP需要6个光罩、9次曝光,而EUV只需一个光罩、1次曝光。相较之下,采用EUV技术不但可有效简化制程,加快产品设计时程,也因为曝光次数明显减少,因而可有效降低成本,满足晶片设计高效能、低成本的需求,因此,市场对于EUV的需求有增无减。

据悉,ASML的EUV系统现在可用于7nm生产,满足客户对可用性、产量和大量生产的需求。到了2019第2季季末,目前半导体领域已经有51个EUV系统(包含NXE:33xx、NXE:3400B),而该公司在2019年的销售目标为30台EUV,目前已出货11台,而在第2季再度接获10台EUV极紫外光系统的订单,显示市场对于EUV设备的需求相当强劲。因此,ASML的出货计画将着重于2019年下半年和第4季,而2019年的整体营收目标维持不变。

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