3nm首发新工艺,三星FinFET会在5nm后被取代

3nm首发新工艺,三星FinFET会在5nm后被取代

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集微网消息(文/Kelven)7nm工艺的产品现在已经很成熟 , 基本踏进7nm的工艺时代 , 而PC市场Intel也终于要开始10nm工艺芯片的出货 。 工艺之争对于晶圆巨头来说 , 越来越激烈 。

在三星日前的一场技术交流活动中 , 三星重新制订了未来的节点工艺细节 。 三星表示 , EUV后 , 他们将在3nm节点首发GAA MCFET(多桥通道FET)工艺 。 由于FinFET的限制 , 预计在5nm节点之后会被取代 。

对于三星来说 , 5nm工艺实际也只是7nm LPP的改良 , 可以被看作是第二代EUV 。 7nm LPP向后有三个迭代版本 , 分别是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE 。

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