3nm首发新工艺，三星FinFET会在5nm后被取代( 二 )
比较去年的泸县路 ， 三星6LPP只是简单地引入SDB ， 从而提供了1.18倍的密度改进 。 另一个改变是删除4LPP节点 ， 在路线图上只留下4LPE 。 三星将3 GAAE和3 GAAP更名为3 GAE和3 GAP 。
根据理解 ， 按照工艺核心指标 ， 5nm LPE虽然沿用7nm LPP的晶体管和SRAM ， 但性能增强了11% ， UHD下的密度会接近130 MTr/mm2 ， 终于第一次超过了Intel 10nm和台积电7nm 。 （校对/慕容素娟）
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