长鑫存储：实现国产半导体重大突破_2019年9月世界制造业大会上

"multi_version":false

2019年9月世界制造业大会上，总投资超过2200亿元的合肥长鑫集成电路制造基地项目顺利签约，其中包括总投资约1500亿元的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目(简称“长鑫存储”) 。 10月22日下午，中宣部“推动高质量发展调研行”走进位于合肥经济技术开发区空港经济示范区的长鑫存储技术有限公司，了解这家致力于以存储科技赋能信息社会，改善人类生活企业的拳拳初心。

长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明介绍，长鑫存储诞生于2016年，专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂。 DRAM产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、人工智能、虚拟现实和物联网等领域，市场潜力巨大。

(长鑫存储技术有限公司外景)

“合肥集成电路产业有基础，并且在科教、人才、区位等多方面具有显著优势，这是我们选择合肥的原因。 ”朱一明说。长鑫存储将分期建设三座12寸DRAM存储器晶圆厂，打造集研发、生产、销售于一体的存储器DM国产化基地。 2017年3月，长鑫存储项目一期开工建设。 2018年1月，厂房建设完成，开始设备搬入，并陆续完成安装和验机，创下同期芯片先进制造厂最快速度。主厂房34万平方米，规模位居世界同类生产厂房前列。 2018年7月开始工艺投片验证。 2019年9月，长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。这标志我国在内存芯片领域实现量产技术突破，拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。