我们先来看一下韩厂方面。

日本对韩国氟化氢等芯片制造关键化学物质发布“限售令” ，韩厂普及国有氟化氢，以三星， LG ，海力士带头，减少对日产的依赖，并且SK海力士在中国无锡的工厂已使用中国国产氟化氢，完全脱离日产。

在这之后，传来了SK海力士宣布开发适用第三代 1Z纳米的16GbDDR4 DRAM ，并有了新的进展， SK海力士表示， 1z nm生产效率比前一代高出27% ，且使用过去没有加入的新原料，成功最大化DRAM的静电容量，外界期待，未来1z nm制程将扩大应用在新一代移动DRAM‘LP DDR5’与高速DRAM“HBM3”上。

三星电子于3月完成了1z DRAM的开发，并从9月开始量产，并有表示年底有望引进紫外光微影技术（EUV）。