通用存储器跨越新里程碑!完美结合DRAM和闪存优点,效率提高100倍

通用存储器跨越新里程碑!完美结合DRAM和闪存优点,效率提高100倍


兰开斯特大学的物理学家证明 , 他们发明的新型存储设备可以改变计算机、智能手机和其他电子设备的工作方式 。

本质上 , “通用存储器”是一种数据存储非常稳健 , 但也可以很容易地改变的存储器;直到现在 , 人们还普遍认为这是不可能实现的 。

当前 , 动态存储器(DRAM)和闪存这两种主要的存储器具有互补的特征和作用 。 DRAM速度很快 , 因此可用于活动(工作)内存 , 但它易失 , 这意味着在断电时信息会丢失 。 事实上 , DRAM不断“遗忘” , 并且需要不断刷新 。 闪存是非易失性的 , 可以让你在口袋中携带数据 , 但是速度却很慢 。 它非常适合用于数据存储 , 但不能用于活动内存 。

这篇论文发表在1月份的《 IEEE Transactions on Electron Devices》上 , 展示了如何将单个存储单元以阵列的形式连接在一起以形成RAM 。 论文预测 , 此类芯片至少会与DRAM的速度性能相匹配 , 但效率要高出100倍 , 并且具有非易失性的额外优势 。

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