中国芯片再传捷报，国产光刻机拐弯超车，攻克9nm技术难关！( 三 )
目前光刻机领域的平均水平在14nm工艺范畴 ， 最先进的则是7nm工艺掌握在荷兰ASML手中 ， 其他国家所涉及的光刻机技术还有9nm工艺 ， 主要掌握在日本和德国手里 。 所以 ， 在我国庞大的电子产业群之下 ， 没有先进光刻机的支持 ， 必然会约束到我国电子产业的转型与升级 。 所以在意识到光刻机的重要性之后 ， 我国也开始大加大了对光刻机研发的投入 。
目前 ， 包括中芯国际和华虹集团都已经实现量产28nm和90nm工艺的水平 ， 与9nm和7nm依旧有着很大的差距 。 不过在近日 ， 中国芯片再传捷报 ， 国产光刻机拐弯超车 ， 攻克9nm技术难关！根据相关媒体的报道 ， 由我国武汉光电国家研究中心的甘棕松团队 ， 成功研发出9nm工艺光刻机 。
此次研发成功的9nm光刻机技术与西方不同是 ， 国产光刻机利用了二束激光在自研的光刻机上突破了光束衍射极限的限制 ， 刻出了最小9nm线宽的线段 ， 这是我们独有的技术 ， 我们也将拥有自主产权 。 不过 ， 现阶段9nm光刻机技术还仅限于试验阶段 ， 但是作为国人的我们有理由相信 ， 在不久的将来 ， 国产光刻机必然会走出实验室 ， 实现芯片量产 。
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