OMG!这项研究将有望打破摩尔定律!( 二 )
为了解决两个器件层之间的电压失配问题 , 研究人员采用了顶部肖特基、底部欧姆的接触结构 , 在触点添加的肖特基门控薄膜晶体管和垂直薄膜二极管具有优良的开关性能 。 测试显示 , 在集成了高压薄膜晶体管后 , 基础硅芯片仍然可以工作 。
研究人员表示 , 硅集成电路在低电压(约1伏)下工作 , 但可以通过单片集成薄膜晶体管来提供高电压处理能力 , 从而免除了对额外芯片的需求 。 他们的新方法将氧化物电子学的优势引入到单个硅晶体管中 , 有助于更紧凑、具有更多功能的芯片的开发 。
相关论文刊发在最新一期《自然·电子学》杂志上 。
来源:科技日报
编辑:李文博
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