随着 5G技术的普及 ， 基于5G的智能手机迎来长足的发展 。手机硬件技术的革新也成了必然 。 正如摩尔定律所表达的：集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过1 8 个月便会增加一倍 。 换言之 ， 处理器的性能每隔两年翻一倍 。 对于手机硬件来说 ， 芯片之外 ， 内置存储也将是其中的重点 。科技视讯 2021 年度评选中对专为5 G 手机设计的移动存储产品进行多维度评选后 ， 决定为西部数据 iNAND ? MC EU551嵌入式闪存器件 评选为 科技视讯2 021 年度科创奖“ 年度行业推荐嵌入式存储器 ”奖 。
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在本次评选中 ， 每一个奖项的诞生 ， 都是由科技视讯的行业大咖从产品的外观设计、产品应用、性能测试、科技创新等多个维度 ， 再结合市场关注度以及网友评选的结果 。 接下来由科技视讯先为大家分析西部数据iNAND? MC EU551嵌入式闪存器件的各项技术亮点 。
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今年8月 ， 西部数据公司在北京召开媒体发布会 ， 正式在国内宣布推出其用于5G智能手机的第二代UFS 3.1存储解决方案——西部数据iNAND? MC EU551嵌入式闪存器件 。 这款产品为消费者提供了超高分辨率相机、增强现实 / 虚拟现实、游戏和 8K 视频等新兴应用所需的高性能存储 。
iNAND? MC EU551 嵌入式闪存器件是 iNAND? 系列产品的新成员 ， 十多年来 ， 该系列产品一直深受全球主要智能手机制造商的信任 。 iNAND? MC EU551 型号作为该品牌第二代 UFS 3.1 闪存芯片 ， 具有 Write Booster 技术、Host Performance Booster 2.0 技术 ， 容量覆盖 128GB-512GB ， 工作温度-25℃到 85℃ ， 封装大小为 11.5×13×1.0mm 。
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相较上代产品 ， iNAND? MC EU551的随机读取性能提升约 100% ， 随机写入性能提升约 40% ， 有助于支持混合工作负载体验 ， 例如同时运行多个应用 。 顺序写入性能提升约 90% ， 有助于达到新的 5G 和 Wi-Fi 6 的下载速度 ， 让用户在下载 8K 视频等富媒体文件时拥有更卓越的体验 ， 并提高连拍模式等应用的性能 。 顺序读取性能提升约 30% ， 通过缩短启动时间以更快启动应用 ， 实现更快的上传速度 。
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具体读写速度上 ， iNAND? MC EU551使用了最先进的 3D NAND 闪存技术 ， 支持 UFS 3.1 Gear 4/2 通道 。 产品支持 iNAND? SmartSLC Gen 6 加速技术 ， 性能远超 UFS 2.1 闪存 。 官方表示 ， 这款芯片可以实现高达 1550MB/s 的顺序写入速度 ， 明显超过现有 UFS 3.1 闪存的速度 。
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【器件|iNAND MC EU551嵌入式闪存器件获年度行业推荐嵌入式存储器】作为年度极具影响力的科技行业盛典 ， 科技视讯2021年度评选盛典汇聚了IT、生活、家居、时尚等多个消费与办公类领域 。 以权威角度解读消费者所关心的行业与产品热点 。 并通过科技视讯综合信息平台建立起企业与消费者的沟通管路 ， 增加科技企业在中国互联网用户的曝光与影响力 ， 实现企业品牌价值的全面提升 。
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