纸面|三星3nm工厂即将动工 首发GAA工艺功耗直降50%
三星3nm工厂即将动工 首发GAA工艺功耗直降50%
【纸面|三星3nm工厂即将动工 首发GAA工艺功耗直降50%】【三星3nm工厂即将动工 首发GAA工艺功耗直降50%】财联社3月11日电 ， 据韩国媒体报道 ， 三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂了 ， 6、7月份动工 ， 并及时导入设备 。 根据三星的说法 ， 与7nm制造工艺相比 ， 3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上 ， 功耗降低了50% ， 性能提高了约35% ， 纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺 。
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