降低|丰田合成成功研制出 6 英寸氮化镓 GaN 衬底，可降低器件生产成本
IT之家 3 月 17 日消息 ， 据 businesswire 报道 ， 丰田合成 Toyoda Gosei 与大阪大学合作 ， 成功研制出了 6 英寸的氮化镓 GaN 衬底 。
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GaN 功率器件广泛用于工业机械、汽车、家用电子等领域 ， 随着全球碳中和的目标 ， GaN 功率器件作为减少电力损失的一种手段而被寄予厚望 ， 因此需要更高质量和更大直径的 GaN 衬底 ， 以实现更高的生产效率（降低成本） 。
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在日本环境省牵头的一个项目中 ， 丰田合成和大阪大学采用了一种在钠和镓的液态金属中生长 GaN 晶体的方法 ， 来制造高质量的 GaN 衬底 ， 成功制造出了 6 英寸的衬底 ， 为目前世界最大的衬底 。
【降低|丰田合成成功研制出 6 英寸氮化镓 GaN 衬底，可降低器件生产成本】
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IT之家了解到 ， 丰田合成接下来将对 6 英寸衬底的批量生产进行质量评估 ， 继续提高质量 ， 并继续增加直径尺寸 ， 有望超过 6 英寸 。
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