自组装无铅双钙钛矿-MXene异质结构具有高效电荷分离用于光催化CO2还原( 三 )


2.8.光催化测量
光催化CO2还原反应在密封石英玻璃池中进行 , 样品为5 mg , 在高纯度CO2和20 μL H2O气氛下进行 。 光源是氙灯(150 mW cm-2 400 nm滤光片 , Newport LCS-100) 。 产物用气相色谱仪(GC9790 plus , 富力分析仪器有限公司)进行分析 。 电子消耗产率的计算公式如下:Y(electron)= 2Y(H2) + 2Y(CO) + 8Y(CH4)
2.9 。 表观量子产率(AQY)测量
AQY在多通道光催化反应系统(PCX-50B , Beijing Perfectlight , China)上进行了表征 。 单色入射光由一系列发光二极管(LED)提供 。 特定波长的AQY由以下函数计算:AQY(%) = Nelectron/Nphoton = [2N(CO) + 8N(CH4) + 2N(H2)
/Nphoton = [2N(CO) + 8 N(CH4) + 2N(H2)
/[(I×A×t)/(Ephoton×NA)
其中N(CO)、N(CH4)和N(H2)表示CO、CH4和H2 , 分别;I为入射光强度;A是照明面积;Ephoton是使用以下函数计算的平均单光子能量:Ephoton = hc/λ;NA是阿伏伽德罗常数 。
2.10 。 计算细节
自旋极化密度泛函理论(DFT)通过使用Vienna Ab initio Simulation Package(VASP)进行 。 Perdew-Burke-Ernzerhof广义梯度近似泛函用于描述电子之间的相互作用 。 能量截止设置为400 eV 。 对于所有计算 , 以?为中心的k点网格设置为2×2×1 。 真空区域在z方向上设置为15? , 以防止两个相邻表面之间的相互作用 。 能量收敛设置为10-5 eV 。 在模拟过程中 , 底层的原子位置是固定的 。
反应吉布斯自由能(ΔG)定义为ΔG =ΔE +ΔΕZPE - TΔS , ΔE是反应能 , ΔΕZPE是零点能量 , T是温度(298.15K) , ΔS是熵与振动频率的差计算 。 气相CO2、H2和H2O的熵是从NIST数据库中以标准条件获得的 。
3.结果与讨论
3.1 。 Cs2AgBiBr6/Ti3C2TX异质结构的合成、结构和形态
如方案1所示 , Cs2AgBiBr6/MXene异质结构是通过超声辅助自组装工艺制造的 。 按照先前报道的水热辅助插层方法获得了几层Ti3C2TX纳米片 , 并通过热注射法合成了立方相Cs2AgBiBr6 NC(详见图S1、S2和实验部分) 。 为了实现Cs2AgBiBr6 NCs在少层 Ti3C2TX纳米片上的自组装 , 将两种组分以特定比例混合在溶液中 。 首先 , 将一定量的 Ti3C2TX纳米片在超声作用下滴加到甲苯中 。 随后 , 添加Cs2AgBiBr6 NCs , 然后在N2气氛保护下对混合物进行超声处理 , 以诱导Cs2AgBiBr6 NCs在 Ti3C2TX纳米片上的自组装 。 先前的报告表明 , MXene纳米片具有丰富的表面末端 , 例如氟、氧和羟基 , 它们倾向于与Cs2AgBiBr6 NCs的表面配体相互作用 。 Cs2AgBiBr6 NCs和 Ti3C2TX纳米片之间的强静电吸引力通过它们的zeta电位值得到验证 。 如图1a所示 , Cs2AgBiBr6 NCs显示出86.7
mV
的正zeta电位 , 而 Ti3C2TX纳米片具有-39.0
mV
的负zeta电位 。 相反的表面电荷会导致它们之间产生强烈的静电吸引力 , 导致Cs2AgBiBr6 NCs在 Ti3C2TX纳米片上自发组装并形成紧密的异质界面 。 此外 , 2D MXene纳米片的大比表面积与丰富的表面基团相结合 , 可以为Cs2AgBiBr6 NCs通过库仑静电相互作用提供更多的自组装机会 。 图S3显示了MXene纳米片和Cs2AgBiBr6/MXene异质结构在合成过程中分散在混合DMF/甲苯溶剂(VDMF: V甲苯= 1:60)中的照片 。 MXene纳米片的分散性较差 。 有趣的是 , 当添加Cs2AgBiBr6 NCs时 , 所获得的Cs2AgBiBr6/MXene异质结构在超声处理后分散良好 。 这进一步表明Cs2AgBiBr6NCs修饰在MXene纳米片的表面 , 大大提高了MXene纳米片的分散性 。

方案1. Cs2AgBiBr6 NCs在少层 Ti3C2TX纳米片上的自组装过程示意图 。



图1. (a) Cs2AgBiBr6 NCs和 Ti3C2TX纳米片的Zeta电位 。 (b) Cs2AgBiBr6、Ti3C2TX和Cs2AgBiBr6/Ti3C2TX异质结构的XRD图谱 。 (c) Cs2AgBiBr6/Ti3C2TX异质结构的TEM和(d) HRTEM图像 。 (e) Cs2AgBiBr6/Ti3C2TX异质结构的HAADF-STEM图像和Cs、Ag、Bi、Br和 Ti元素的相应EDS映射图像 。



图2. (a) Cs2AgBiBr6 NCs、Ti3C2TX纳米片和Cs2AgBiBr6/Ti3C2TX异质结构的光吸收光谱 。 (b) Cs2AgBiBr6 NCs和Cs2AgBiBr6/Ti3C2TX异质结构的室温PL光谱 。 (c)集成PL发射强度作为40至300K温度的函数 , 用于提取激子结合能(Cs2AgBiBr6 NCs向上 , Cs2AgBiBr6/Ti3C2TX异质结构底部) 。 (d) Cs2AgBiBr6 NCs和(e)Cs2AgBiBr6/Ti3C2TX异质结构在370nm光激发下不同延迟时间的瞬态吸收光谱 。 (f)在370nm光激发时在439nm处监测的相应TA动力学轨迹 。



图3. (a) AFM高度图像和(b) Cs2AgBiBr6/Ti3C2TX异质结构的表面光电压(SPV)图像(ΔCPD = CPDlight- CPDdark) 。 (c) (b)中SPV差异的相应线剖面 。 (d) Cs2AgBiBr6和Cs2AgBiBr6/Ti3C2TX异质结构的瞬态光电流响应曲线 。 (e)光照下Cs2AgBiBr6和Cs2AgBiBr6/Ti3C2TX异质结构与Ag/AgCl电极的奈奎斯特图 。 (f) Cs2AgBiBr6/Ti3C2TX异质结构在可见光照射下光催化CO2还原的示意图 。

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