由于使用碱性试剂的高温化学镀Ni/P被证明对POCl3扩散硅太阳能电池的发射极具有破坏性 ， 因此重新考虑不同的金属化方法是至关重要的 。 当所述发射体在金属化过程中被高度损坏或者甚至完全消耗时 ， 浅发射体容易接触的优点迅速消失 。 为了增加硅发射体上镀镍层的附着力 ， 通常的做法是在200℃以上的温度下烧结 ， 然而烧结促进了原子扩散 ， 并且在通过Ni/P镀层已经损坏了发射体的情况下 ， 可以导致早期和增加的分流 。 由于一些高温Ni/P电镀试剂提供了接触硅上的硼掺杂发射极的能力 ， 所以它们不容易被低温变体替代 。然而 ， 在试图寻找磷掺杂的发射极上的镍金属化的替代物时 ， 在光诱导镀镍中发现了一种有趣的方法 。
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