纳米掩膜蚀刻( 二 )


从获得的所有数据判断 , 可以合理地宣称直径为6nm的纳米点可以用作纳米尺寸的干法蚀刻掩模 , 并且可以产生直径为10nm或更小的纳米柱 , 还声称纳米点阵列具有用作纳米尺寸图案化掩模的潜力 , 这种纳米蚀刻适用于各种类型的纳米结构 , 一个例子是量子纳米盘 , 如果制备在非常浅的位置具有薄导电层的非导电衬底并用纳米点掩模蚀刻 , 则获得的纳米柱将具有导电纳米盘 , 由于柱体直径由氧化铁点的大小决定 , 且导电层的厚度易于控制 , 因此可以设计导电纳米盘的直径和厚度 , 这将为量子阱的制备提供一种新的途径 。
利用生物纳米工艺制备的硅片上的氧化铁纳米点阵列作为纳米尺寸的图案掩模 , 用于ICP干法刻蚀 , 在190K下的ICP蚀刻可以产生锥形结构 , 并且证明了离散的氧化铁纳米点阵列可以用作纳米尺寸的图案掩模 , ICP刻蚀和由生物纳米工艺产生的纳米刻蚀掩模的结合具有制作纳米结构或量子阱的巨大潜力 。

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