Samsung|3nm弯道超车台积电之后 三星2nm工艺蓄势待发
今天下午，知名游戏主播PDD在微博上公开道歉，因为此前在直播间唱了《向天再借五百年》，结果遭原作者索赔10万元 。对此，PDD表示自己和版权方律师的友好沟通，获得了《向天再借五百年》词曲作者的谅解 。
访问购买页面:
SAMSUNG - 三星旗舰店
【Samsung|3nm弯道超车台积电之后 三星2nm工艺蓄势待发】在6月最后一天，三星宣布3nm工艺正式量产，这一次三星终于领先台积电率先量产新一代工艺，而且是弯道超车，后者的3nm今年下半年才会量产 。
根据三星官方介绍，在3nm芯片上，其放弃了之前的FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改善了芯片的功耗表现 。
文章图片
与5nm相比，新开发的3nm GAE工艺能够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能 。
第二代的3nm GAP工艺可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同时面积减少35%，效果更好 。
再往后呢？三星也有了计划，3nm GAP工艺之后就会迎来2nm GAP工艺，也是基于纳米片技术的GAA晶体管，但是结构进一步优化，从3个纳米片提升到4个，可以提高驱动电流，同时还会优化堆叠结构以提升性能，降低功耗 。
2nm GAP工艺的量产时间也定了，预计在2025年量产，时间点跟台积电量产2nm工艺差不多，而且很可能在技术上领先后者，因为台积电的2nm工艺在晶体管密度上挤牙膏，提升只有10% 。
文章图片
推荐阅读
- Samsung|三星Galaxy S22新配色“薰衣草紫”官宣
- Samsung|[动图]Galaxy Watch 5/Watch 5 Pro高清渲染图曝光
- Samsung|三星电子称摆脱供应链瓶颈 第二季度利润将同比增长11.4%
- Samsung|三星公布第二季度业绩预期：运营利润107亿美元
- Samsung|分析师预计三星2季度手机出货量下滑16% 但芯片业务利润增长
- Samsung|韩媒称三星将手机业务重心转向折叠屏设备 Galaxy S或遇冷
- Samsung|基于Android 13的OneUI 5.0即将开放测试 三星员工已内部测试
- Samsung|三星显示器公司已将QD-OLED面板良率提升至85%
- Samsung|三星Galaxy S22 Ultra销量将超过近四年Galaxy Note系列记录
- Samsung|三星考虑在2022年下半年下调存储芯片价格