硬件|NAND闪存将成为PCIe Gen 5.0固态硬盘的瓶颈 需要更多层工艺才能满足

基于Phison E26控制器的固态硬盘可以利用PCIe Gen 5.0标准 , 一些设备在过去几个月中已经公布 。虽然该控制器可以达到13GB/的速度 , 但大多数固态硬盘的最大读取速度为10GB/s 。最近Phison公司的PS5026-E26控制器提供了八个NAND通道 , 帮助不同的传输数据速率 , 但需要一个具有2400MT/s接口的3D NAND存储器来满足较新的PCIe 5.0 x4接口 。
硬件|NAND闪存将成为PCIe Gen 5.0固态硬盘的瓶颈 需要更多层工艺才能满足
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具有所需接口的3D NAND存储器可以推动PCIe 5.0 x4接口 , 来回传输15.754 GB/s的数据 。八个NAND通道是消费类固态硬盘的标准 , 所以对于普通的低级设备来说 , 它们并不是那么必要 。
【硬件|NAND闪存将成为PCIe Gen 5.0固态硬盘的瓶颈 需要更多层工艺才能满足】在过去几个月里 , 一些NAND制造商已经宣布了他们的多层3D NAND , 包括美光、SK海力士、三星和YMTC 。除了三星之外 , 所有品牌都使用Phison PS5026-E26控制器 , 而这三个产品最多只能达到12GB/s的连续读取传输率 。
然而 , 通过每个公司的固态硬盘上的3D NAND芯片实现2400MTps是具有挑战性的 。大多数只能处理1600MT/s的总量 , 总体上损失800MT/s 。美光的控制器是所有公司中最先进的 , 它提供对232层3D NAND层存储器的支持 , 但由于这些NAND闪存芯片的产量有限 , 控制器将不得不与176层NAND一起使用 , 而176层NAND的运行速度较低 , 因此拖后腿造成了性能上的巨大差异 。据推测 , 我们将在2023年的某个时候看到满血版本 , 但不确定我们是在今年年初还是在2023年下半年看到 。
GOODRAM和Corsair宣传他们的固态硬盘可以通过3D NAND内存芯片和1600 MT/s接口实现10 GB/s的数据传输 , 而Gigabyte和他们的Aorus Gen5 10000固态硬盘则表示使用Micron的2400 MT/s接口可以达到12.4 GB/s的读取传输速度 。
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Corsair和GOODRAM的固态硬盘以及他们利用3D NAND技术所能达到的效果显得更加理智 。另一方面 , 技嘉需要从美光公司获得相当数量的2400MT/s芯片 , 以使他们的固态硬盘能够大批量上市 。据推测 , 海盗船和GOODRAM在目前的情况下 , 更有可能超过技嘉的销量 。
到目前为止 , 我们知道一系列的SSD制造商将提供以下速度:
微星 - 最高可达12GB/s
XPG - 最高可达14GB/s
T-Force - 最高可达12GB/s
GOODRAM - 最高可达10 GB/s
AORUS - 最高可达12.5 GB/s
APACER - 最高可达13GB/s
KIOXIA - 最高可达14GB/s
Corsair - 最高可达10 GB/s
GALAX - 最高可达12 GB/s
包括微星、威刚、TEAMGROUP、GOODRAM、AORUS、APACER、KIOXIA、Corsair等在内的几家存储厂商正在研究他们的下一代PCIe Gen 5固态硬盘解决方案 , 将于今年晚些时候正式推出 , 新的固态硬盘将提供完全符合微软DirectStorage API和AMD的智能访问存储(SAS)技术 。
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