总结
用微波光导衰减(ttPCD）和表面光电压(SPy)研究了p型和n型硅中微量铁和铜的影响 。 我们观察到 ， 从表面污染中来看 ， 在衬底中加入的铁的量取决于退火环境 。 退火环境也会影响样品表面钝化 ， 这是测量μPCD低污染晶片的关键参数 。 在高频溶液中的处理可以用于降低衬底的表面重组速度 ， 允许研究非退火的样品 。
【华林科纳-----Fe和Cu污染对硅衬底少数载流子寿命的影响】衬底掺杂型对金属杂质的重组活性有很大的影响 。 与预期的那样 ， Fe降解了p型底物中的少数载流子性质 。 另一方面 ， 铁对n型硅的影响至少比对p型硅的影响低一个数量级 。 散装硅中铁污染的可容忍极限将由p型材料的期望性能决定 。 相比之下 ， 铜对n型材料高度有害 ， 但对p型硅污染高达5倍io原子/cm2的p型硅的微载流子性能没有显著影响 。 如果n型硅需要良好的性能 ， 则需要控制铜 。
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