Intel|外媒分享带有正确注释的英特尔首款7nm Xe HPC GPU封装照片

早些时候,英特尔首席架构师 Raja Koduri 分享了“七合一”设计的 Xe HPC GPU 的封装照片,而后外媒迅速对这款基于 7nm 制程的双 Tile GPU 产品的规格进行了分析 。最新消息是,WCCFTech 援引消息人士的爆料,给出了带有正确注释的芯片图表,包括位于基板中间的计算单元、两侧的 HBM2 高带宽显存、以及边缘位置的 Xe Link IO。

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(图 via WCCFTech)
此前大家对于 Raja Koduri 披露的所谓“七项技术”的理解,包括了双 Tile 版本的 Xe HPC GPU 所使用的 Foveros 技术、英特尔的 10nm ESF 工艺、以及台积电的 7nm 制程 。
现在,通过与至少两个消息来源进行交叉确认,WCCFTech 终于知晓了该公司首款 7nm Xe HPC GPU 芯片封装的正确注释 。
首先是位于图片左上角和右下角的两颗 Xe Link IO 芯片,其基于台积电的 7nm 工艺制造 。有趣的是,基板两侧似乎还整合了两种不同大小的 HBM2 高带宽显存 。

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其次是位于长方形基板中间的英特尔7nm 计算核心,每 Tile 中的 8 个计算核心通过 Passive Die Stiffeners 进行整合、以及与 HBM2 高带宽显存连接 。
显然,为了打造这款 7nm 产品,英特尔还应用了嵌入式多芯片互连桥接(EMIB)和 Foveros 3D 封装等技术,比如由台积电代工的 7nm IO 连接芯片和 Rambo Cache 缓存 。

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以下是对 Raja Koduri 分享的“七项技术”的完整解释:

● 英特尔 7nm 工艺;
● 台积电 7nm 工艺;
● Foveros 3D 封装;
● EMIB 嵌入式多芯片互连桥接;
● 增强型 Super Fin 工艺;
● Rambo Cache 缓存;
● HBM2 高带宽显存 。
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