趋肤效应|进展｜磁子阻塞效应和磁子趋肤效应的研究进展( 二 )_自旋电子学|科学|自旋|科普|科

图1. 左图：磁子结的构造和磁子阻塞效应(MBE)示意图；(a)不同磁结构时磁子浓度的空间分布；(b)通道分辨的磁子浓度空间分布；磁子结在平行态(c)和反平行态(d)下的磁子输运示意图，磁矩方向相反的界面发生磁子阻塞效应，磁矩方向相同的界面磁子可以部分透射。右图：磁子趋肤效应(MSE)示意图。介质1(2)的磁矩方向沿+z(-z)方向，允许右(左)旋圆偏振自旋波的传播。当自旋波从右旋介质1进入左旋介质2时，介质2中的波为衰减波，其衰减长度为Ld 。 (b)自旋波从YIG进入GdIG时， Ld随频率ω和入射角θi的变化。 (c)自旋波从GdIG进入YIG时， Ld随频率ω和入射角θi的变化。
综上所述，上述理论研究结果清晰表明了磁子结等器件对相干/非相干磁子的高效调控源于磁子或自旋波本身在磁性材料中的固有旋性，这一发现夯实了纯磁子器件高效调控磁子输运的物理基础，为开发纯磁子型存储和逻辑等器件开拓了新的发展方向和技术路线。
相关工作得到了国家自然科学基金委、科技部和中科院有关项目的经费支持[NSFC51831012; MOST 2017YFA0206200, 2016YFA0300802; XDB33000000, QYZDJ-SSW-SLH016,112111KYSB20170090] 。
编辑：Norma
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