通用存储器跨越新里程碑！完美结合DRAM和闪存优点，效率提高100倍( 二 )_兰开斯特大学的物理学家证明

这种称为ULTRARAM的新型非易失性RAM将成为所谓的“通用存储器”的有效实现方式，结合了DRAM和闪存的所有优点，而没有缺点。

负责这项研究的Manus Hayne教授说：“这份新论文发表的研究成果是一项重大进步，为实施ULTRARAM存储器提供了清晰的蓝图。 ”

兰开斯特研究团队通过利用称为共振隧穿的量子力学效应解决了通用内存的悖论，该效应通过施加较小的电压即可使势垒从不透明切换为透明。

新研究描述了此过程的复杂模拟。并提出了一种用于存储单元的读出机制，该机制将逻辑状态之间的对比度提高许多数量级，从而允许单元以大阵列连接。它还表明，共振隧穿势垒的不透明性和透明性之间的急剧过渡促进了具有高位密度的高度紧凑体系结构。

正在进行的研究针对工作内存芯片的可制造性，包括设备阵列的制造，读出逻辑的开发，设备的缩放以及在硅片上的实现。

原文来源：https://techxplore.com/news/2020-01-universal-memory-milestone.html

通用存储器跨越新里程碑！完美结合DRAM和闪存优点，效率提高100倍( 二 )