「专利解密」长江存储 3D NAND存储器( 二 )_「专利解密」长江存储3DNAND存储器集微

集微网消息， 2020年1月16日，长江存储召开市场合作伙伴年会，并在会前披露了闪存技术方面的一些新情报。

据介绍，长江存储研发了自己的Xtacking堆栈架构，已经可以保证可靠性问题。就在日前，长江存储确认采用Xtacking技术的64层3D闪存产品已经实现量产，并正扩充产能，将尽早达成10万片晶圆的月产能规模，并按期建成30万片月产能。据介绍，接下来，长江存储将跳过96层闪存，直接量产128层堆叠产品。目前正在推进中的下一代Xtacking 2.0 ，将为直接量产128层堆叠提供重要保障。随着半导体技术的发展，提出了各种半导体存储器件。相对于常规存储装置如磁存储器件，半导体存储器件具有访问速度快、存储密度高等优点。这当中， NAND结构正受到越来越多的关注。为进一步提升存储密度，出现了多种三维(3D)NAND器件。然而现有的传统方法存在以下缺陷：氮化硅层的去除工艺中会使用到磷酸材料，并且磷酸材料的蚀刻速率与其中的硅浓度相关。这是NAND器件制作中不希望出现或者想要避免出现的现象，因为这种气泡或虚空区最终会导致金属钨层开口或电阻值上升，从而严重影响器件性能。通常这种大头现象很难避免，因为磷酸材料中的硅浓度很难控制，原因是当刻蚀去除氮化硅层时会使得硅浓度上升。为了解决这样的问题，长江存储在17年11月16日申请了一项名为“一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法”的发明专利（申请号：201711140523.6），申请人为长江存储科技有限责任公司。根据目前公开的专利资料，让我们来了解一下如何使用传统方法来制造该器件以及该专利的创新之处吧。