「专利解密」长江存储 3D NAND存储器( 四 )_「专利解密」长江存储3DNAND存储器集微

上图为现有技术存在大头现象后制作的等级层堆栈照片

上图为本发明消除大头现象后制作的等级层堆栈照片该专利为了验证技术效果。分别拍取了现有技术存在大头现象后制作的等级层堆栈照片和经本发明消除大头现象后制作的等级层堆栈照片(如上两张图所示) 。从图1中可以看出，存在大头现象的等级层堆栈的金属钨层(黑色部分)存在开口(发白的线) ，而如图2所示经使用HF清洗后制作的等级层堆栈，钨层均匀且没有开口等瑕疵，完美的消除了上述缺陷。以上就是长江存储科技的3D NAND存储器等级层堆栈制造方法，长江存储以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式，已于2017年研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片，填补了国内空白，并力争成为世界一流的3D NAND闪存产品供应商！