我科学家另辟蹊径造出9纳米光刻试验样机_据科技日报4月15日消息

据科技日报4月15日消息，采访人员从武汉光电国家研究中心获悉，该中心甘棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制，采用远场光学的办法，光刻出最小9纳米线宽的线段，实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新。

9nm线宽双光束超衍射极限光刻试验样机

光刻机是集成电路生产制造过程中的关键设备，主流深紫外（DUV）和极紫外（EUV）光刻机主要由荷兰ASML公司垄断生产，属于国内集成电路制造业的“卡脖子”技术。2009年甘棕松团队遵循诺贝尔化学奖得主德国科学家斯特凡·W·赫尔的超分辨荧光成像的基本原理，在没有任何可借鉴的技术情况下，开拓了一条光制造新的路径。

双光束超衍射极限光刻技术完全不同于目前主流集成电路光刻机不断降低光刻波长，从193纳米波长的深紫外（DUV）过渡到13.5纳米波长的极紫外（EUV）的技术路线。甘棕松团队利用光刻胶材料对不同波长光束能够产生不同的光化学反应，经过精心的设计，让自主研发的光刻胶能够在第一个波长的激光光束下产生固化，在第二个波长的激光光束下破坏固化；将第二束光调制成中心光强为零的空心光与第一束光形成一个重合的光斑，同时作用于光刻胶，于是只有第二束光中心空心部分的光刻胶最终被固化，从而远场突破衍射极限。