CPU的制作过程: 光刻( 三 )

2019-06-13

06、涂光刻胶：--尺度：晶体管级别（50-200纳米）

再次浇上光刻胶(蓝色部分)，然后再次用紫外线光刻。在下道工序（离子注入）前洗掉曝光的光刻胶，剩下的光刻胶还是用来保护不被离子注入的那部分材料。

07、离子注入(Ion Implantation)：--尺度：晶体管级别（50-200纳米）

通过离子注入工序（即参杂工序的一种形式），硅片上暴露的部分用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后，注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时。

08、清除光刻胶：--尺度：晶体管级别（50-200纳米）

离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域(绿色部分)也已掺杂，注入了不同的原子（注意这时候的绿色和之前已经有所不同）。

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