国产内存年底量产 但前路依旧漫漫( 二 )
目标是研发19nm工艺的DRAM内存，预计在2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于10%。
而该项目依托的就是合肥睿力集成，由长鑫集成控股，而长鑫集成则是长鑫存储的母公司。
相对于兆易创新来说，成立于2016年的长鑫存储还只是一家初创公司。但是，长鑫存储并不是从0开始，而是站在巨人的肩膀上前行。
在5月15日的GSA Memory+论坛上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明先生首次对外公开表示，长鑫存储的DRAM技术主要来自于已破产的德系DRAM厂商奇梦达。
朱一明也强调长鑫存储通过与奇梦达的合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，这也是公司最初的技术来源之一。
长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上，利用专用研发线，展开世界速度的快速迭代研发，已持续投入晶圆超过15000片。
建立了严谨合规的研发体系并结合当前先进设备完成了大幅度的工艺改进，开发出独有的技术体系，拉近了与世界先进水平的技术差距。
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