国产内存年底量产但前路依旧漫漫( 四 )_本月初

虽然长鑫存储的19nm 8Gb DDR4内存与美光、三星等公司的先进的第三代10nm工艺内存还有一两代的代差，但是量产推向市场还是可以的，因为市面上很多内存条也就是这个规格，用于制备单条8GB、16GB的内存条也没有问题。

可以说，这个起点还是非常高的，但后续的良率、产能提升才是关键。另外还需要加快缩小与美光、三星等DRAM厂商的技术差距。

根据长鑫存储去年透露DRAM项目规划就显示，长鑫存储计划在2018年底量产8Gb DDR4工程样品；2019年3季度量产8Gb LPDDR4；2019年底实现产能2万片/月；2020年开始规划二厂建设；2021年完成17纳米技术研发。

从目前来看，长鑫存储基本是按照既定的计划在走。

紫光集团：2021年量产DRAM

早在今年6月30日晚间，紫光集团发布公告称，决定组建紫光集团DRAM事业群，全力加速发展国产内存。随后，在今年8月底，紫光集团又跟重庆市政府签署投资协议，宣布在重庆建设DRAM事业群总部及内存芯片工厂，预计今年底动工，2021年正式量产内存。

国产内存年底量产但前路依旧漫漫( 四 )