国产内存年底量产但前路依旧漫漫( 七 )_本月初

这种工艺最大的技术挑战有二，一是随着线宽越来越细，沟槽的宽深比跟着增加，如何蚀刻出这种沟槽，是相当大的技术挑战。其次，在进行沉积工艺时，由于沟槽的开口越来越细，要在沟槽里面沉积足够的介电材料，形成容值够高的电容器，也越来越难。

相较之下，堆栈式DRAM则没有上述问题，因此随着工艺节点越往前推进，沟槽式DRAM的采用者越来越少。

当然，这并不是说长鑫存储、紫光集团的技术来源于奇梦达，就一定会完全沿着奇梦达的老路来走。但是，目前堆栈式DRAM技术已经相当成熟，要想绕开美光、三星的专利围堵，显然是非常的困难。

此前，另外一家国产DRAM厂商——福建晋华选择的就是堆栈式DRAM路线，而其DRAM技术来源则是与台湾联电的合作。整体晋华项目的第 1 期，总计将投入 53 亿美元，并将于 2018 年第 3 季正式投产，届时导入 32 纳米制程的 12 寸晶圆月产能，预计达到 6 万片的规模。公司目标最终推出 20 纳米产品，规划到 2025 年四期建成月产能 24 万片。

但是，台湾联电的DRAM技术来源是否是完全自研呢？