台积电研究副总裁Philip Wong：摩尔定律没死，未来30年仍适用( 五 )_雷锋网按：2018年8月

Wong展示了一张幻灯片，显示出，它由多层节能逻辑（黄色），高速存储器（红色）和高容量非易失性存储器（绿色）组成，以交错方式堆叠在一起。所有这些都位于传统的硅逻辑芯片（紫色）之上。

其中的关键是将这些不同的组件与称为ILV的部分连接起来， ILV代表Inter-Layer-Via 。与微米级TSV不同， ILV可以在纳米级形成。虽然这是N3XT技术中非常重要的一部分，但Wong没说太多。显然， ILV是台积电一直在研究的技术，并且有很多专利申请。

对于这些3D封装，交错存储器和逻辑非常重要，因为减少了它们之间的距离，这有助于为AI和5G等应用提供所需的高带宽、低延迟的通信。对于CMOS ，交错存储器与逻辑是不可能的，因为逻辑晶体管需要大约1000摄氏度的温度才能被蚀刻，这会在制造期间破坏相邻的元件。相反，你需要一些可以在400摄氏度左右放置的东西。

事实上，过去几年中已经研究过的新材料似乎适合在相对较低的温度下制造高性能晶体管。与目前用于半导体的块状硅基材料不同，它们是过渡金属二硫化物（TMD），基于诸如钼、钨和硒的元素。