台积电研究副总裁Philip Wong：摩尔定律没死，未来30年仍适用( 六 )_雷锋网按：2018年8月

TMD材料还具有高载流子迁移率，也就是说，能够轻松地通过它们移动电子，但是通道很薄。如果正在构建小于2到3nm的晶体管，那么这些属性就是你想要的。 Wong表示，台积电在实验室内使用二硫化钨建造了实验性TMD晶圆。

另一种候选纳米材料是碳纳米管。 Wong表示，已经制造出具有良好半导体性能的实验版本。已经构建了基于碳纳米管的逻辑和SRAM器件的原型，包括最近由麻省理工学院研究人员进行的RISC-V实现。

在存储器面， Wong表示最有可能进行3D集成的新候选者是自旋扭矩传递磁RAM（SST-MRAM）、相变存储器（PCM）、电阻RAM（ReRAM）、导电桥RAM（CBRAM）和铁电RAM（FERAM）。所有这些都具有随机访问的关键属性，非易失性设备在写入之前不需要擦除，其中一些已经商业化，包括Everspin的MRAM ，三星的嵌入式MRAM ， Crossbar的ReRAM和英特尔的3D XPoint（大多数人认为是PCM的变体）。

研究人员已经模拟了N3XT设备的性能，并将它们与传统的二维芯片进行了比较，逻辑和存储容量的配置相似。根据他们的研究，使用各种机器学习推理进行基准测试， N3XT设备的效率与2D相比提升在63倍和1971倍之间，十分具有竞争力。