华为投资第三代半导体公司( 三 )_：华为投资第三代半导体公司来源：36氪

碳化硅是电力器件的未来？

碳化硅（SiC）是第三代半导体材料代表之一，是C元素和Si元素形成的化合物。跟传统半导体材料硅相比，它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料，与硅材料的物理性能对比，主要特性包括：

（1）临界击穿电场强度是硅材料近10倍；

（2）热导率高，超过硅材料的3倍；

（3）饱和电子漂移速度高，是硅材料的2倍；

（4）抗辐照和化学稳定性好；

（5）与硅材料一样，可以直接采用热氧化工艺在表面生长二氧化硅绝缘层。

比如，在相同耐压级别条件下，Si-MOSFET必须要做得比较厚，而且耐压越高厚度就会越越厚，导致材料成本更高。在栅极和漏极间有一个电压隔离区，这个区越宽，内阻越大，功率损耗越多，而SiC-MOSFET可以讲这个区域做得更薄，达到Si-MOSFET厚度的1/10，同时漂移区阻值降低至原来的1/300。导通电阻小了,能量损耗也就小了，性能得到提升。