华为投资第三代半导体公司( 四 )_：华为投资第三代半导体公司来源：36氪

碳化硅功率半导体器件包括二极管和晶体管，其中二极管主要有结势垒肖特基功率二极管（JBS）、PiN功率二极管和混合PiN肖特基二极管（MPS）；晶体管主要有金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、双极型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和门极可关断晶闸管（GTO）等。

相对Si功率器件，SiC在二极管和晶体管的优势特征为：在二级管中，Ｓi-FRD构造电压可以达到250Ｖ，而换成SiＣ电压则可达到4000V左右；晶体管中Si-MOSFET可以做到900Ｖ，市场上也有1500Ｖ的，但特性会差些，而SiC产品电压可达3300V。

碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有能源的转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要领域有智能电网、轨道交通、电动汽车、新能源并网、通讯电源等。被誉为未来的功率器件选择。