中芯国际发展20年，为什么还是没有成为下一个“台积电“(11)_多位ASML供应商关系人士指出

根据中芯国际提供的最新数据，截至2018年底，中芯国际专利申请总量超1.5万件，授权总量超9000件。中芯国际在28纳米和14纳米关键技术节点专利申请数量分别居全球第二位和第五位。

可以说中芯国际在梁孟松的带领下，走得非常快，而这也标志着中芯国际在晶圆厂代工上顺利缩小与台积电、三星的差距，重新站在同一个赛道上，因为从14纳米到7纳米是没有采用新的制程技术的，不像130纳米要突破掌握铜制程技术， 14纳米要掌握FinFET技术，而到了7纳米之后，就又是一个考验，需要抛弃浸液式光刻技术，而采用EUV微影技术。

最早的光刻机采用接触式光刻，即掩模贴在硅片上进行光刻，容易产生污染，且掩模寿命较短。此后的接近式光刻机对接触式光刻机进行了改良，通过气垫在掩模和硅片间产生细小空隙，掩模与硅片不再直接接触，但受气垫影响，成像的精度不高。

根据所使用的光源的改进以及双工作台、沉浸式光刻等新型光刻技术的创新与发展，光刻机经历了 5 代产品的发展，每次光源的改进都显著提升了升光刻机的工艺制程水平，以及生产的效率和良率。