芯片都是采用MOSFET 的结构，到现在已使用超过 40 年，当半导体研发人员想要研发20纳米以下芯片的时候发现，当闸极长度缩小到 20 纳米以下的时候，遇到了许多问题，其中最麻烦的是当闸极长度愈小，源极和汲极的距离就愈近，闸极下方的氧化物也愈薄，电子有可能偷偷溜过去产生“漏电”；另外一个更麻烦的问题，原本电子是否能由源极流到汲极是由闸极电压来控制的，但是闸极长度愈小，则闸极与通道之间的接触面积愈小，也就是闸极对通道的影响力愈小。

所以20纳米以下的芯片需要采用全新的FinFET 技术，也叫做鳍式场效电晶体。当时三星就因为在梁孟松的指导下，比台积电率先掌握了20纳米以下技术，从而抢占了台积电部分市场。