芯片承载着电子工业的兴衰，摩尔定律依旧传奇( 三 )_50多年来

一般来说，现在把互连金属线条间距离的一半称之为半间距，可用来衡量或定义每一代技术的节点。光刻中临界尺寸或最小特征尺寸取决于光源波长和数值孔径等因素，临界尺寸是所定义的半间距的两倍。按照尺寸缩比要求，每两年或三年工艺中最小线条技术节点的尺度要缩小到原尺寸的70% 。用标度因子表示为S=0.7× ，称之为登纳德标度。理想的同比例缩小是指每一代产品，其场效应管沟道长、宽、栅极氧化层的厚度、结深、电源电压、阈值电压等都要缩小，并按照这个因子来计算。 1995年，英特尔推出高性能奔腾处理器，技术节点和实际栅长均为350nm 。从350nm以下，每代产品中该数值只是名义上的标称数值了。实际上， CMOS结构中多晶硅的门长度要比这个技术节点数值更小。

2011年，英特尔基于22nm工艺制作了一种四核常春藤桥处理器：“Ivy Bridger ， Core i7”芯片，在160mm2上有14亿个晶体管。 2015年以后，有了更小的加工线条，如10nm、7nm、5nm等。比如，现在采用紫外光（UV）光刻、电子束曝光，甚至X射线光刻方式，可以制备小于10m以下的加工线条。技术节点的含义随时间也在不断发生变化。近些年，受控于各大半导体公司，技术节点名称只是名称而已，与具体的数值无太大相关性了但总的来说，与最小特征尺寸有关。对DRAM来说，光刻的线条半宽越小越好；对MPU来说，栅长越小越好。