芯片承载着电子工业的兴衰，摩尔定律依旧传奇( 四 )_50多年来

闪存是日本东芝公司舛冈富士雄（Fujio Masuoka）于1984年发明的，是一种可移动的电可擦写存储介质，结构类似MOS管器件，在沟道和栅极之间有一个氧化绝缘包奄的多晶硅浮栅，用于存储电荷作为信息。闪存的结构特征尺寸已经达到14mn 。 2005年，闪存的容量是2GB；2008年， 16GB；2009年， 32GB；2011年， 64GB 。 2013年， 128GB ，包含640亿个元件，已经是当初摩尔预言的65000个元件数的100万倍了。这个数字相当惊人。同微处理器相比，闪存不属于电发热器件，它只有在写入或擦除信息的时候才消耗很少的电。因此，可以多层叠加在一起，其密度相当大。