长鑫存储量产19nm DRAM：2020年大幅扩充产能( 二 )_紫光集团旗下的长江存储已经开始量产64

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紫光集团旗下的长江存储已经开始量产64层的3D TLC NAND芯片，作为存储另一部分的DRAM(动态随机存储器)的进展同样受到业界关注。

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长鑫存储技术有限公司(CXMT)已开始生产基于19nm工艺的计算机存储器，公司制定最少两条10nm级制程的路线图，计划在未来生产各种类型的动态随机存储器(DRAM) 。作为中国制造2025项目的一部分，其有望支撑全球一半左右的DRAM需求。

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长鑫存储使用10G1技术(19nm工艺)制造4Gb和8Gb DDR4存储器芯片，目标是2020年第一季度商业化并投放市场，该技术还将用于2020下半年生产的LPDDR4X存储器。预计长鑫存储的10G5工艺将使用HKMG和气隙位线技术，并在未来使用柱状电容器、全能栅极晶体管以及极紫外光刻(EUVL)工艺。