长鑫存储量产19nm DRAM：2020年大幅扩充产能( 三 )
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从路线图来看 ， 长鑫存储还规划DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5的10G3(17nm工艺)产品 。
\n \n长鑫存储的月产能约为2万片 ， 但随着订单量的增长 ， 产量还会提升 。 预计到2020年底 ， 长鑫存储10nm级工艺技术的12英寸晶圆的产能将达到12万片 ， 可媲美SK海力士在中国无锡的工厂 。 长鑫存储还计划建造两座晶圆厂 ， 用于提升产能 。 尽管目前尚无法撼动业内老牌竞争对手 ， 但长鑫存储相当重视创新工艺的研发和产能的扩张 。
\n \n \n长鑫存储前身是成立于2016年的合肥睿力集成电路(Innotron Memory) ， 下设一座拥有65000㎡洁净室的晶圆厂 。 目前拥有3000多名员工 ， 其中77%员工都是从事研发相关工作的工程师 。 公司借助奇梦达的IP授权 ， 已顺利完成早期积累 。
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