刻蚀过程研究报告

在半导体微器件的制造中 , 必须通过蚀刻各种材料 , 从表面移除整个层或将抗蚀剂图案转移到下面的层中 。 在蚀刻工艺中可以分为两种工艺:湿法和干法蚀刻 , 同时进一步分为各向同性和各向异性工艺(见下图) 。
在各向同性蚀刻工艺中 , 蚀刻发生在横向和垂直方向 , 因此层不仅在厚度上被去除 , 而且在圆周上也被去除;而在各向异性工艺中 , 该层仅在垂直方向上被去除 。 根据需求 , 可能需要各向同性工艺以及各向异性工艺 。
通常各向同性的蚀刻轮廓 , 湿法蚀刻很少用于结构化 , 但微机械器件是一个例外 。 此外硅晶体的原子结构 , 使用湿化学可以产生侧面角为90°或54.74°的轮廓 。
最后蚀刻工艺的一个重要价值是选择性 。 选择性是应该被蚀刻的层(例如氧化膜)和另一层(例如抗蚀剂掩模)的磨损率 , 如果选择性是2:1 , 氧化物的蚀刻速度将是抗蚀剂的两倍 。
【刻蚀过程研究报告】同时湿化学工艺不仅适用于蚀刻 , 也适用于其他需求 , 比如:1.湿法蚀刻:从整个晶片上去除掺杂或未掺杂的氧化物层;2.晶圆清洗;3.去除光刻胶;4.背面处理:去除在其他过程中作为副产品沉积的层(例如热氧化);5.聚合物去除:去除干蚀刻过程中产生的副产品等 。
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