在之前的研究中 ， 我们测量了氢氧化钾溶液中的静态蚀刻速率作为pH（11-13）的函数 ， 以研究硅的蚀刻机理通过该方法测定的硅的蚀刻速率的变化几乎与之前的静态蚀刻速率的变化相一致 ， 从而证实了该方法的有效性 。
综上所述 ， 在硅表面自然形成的天然氧化物作为掩膜 ， 通过摩擦化学去除硅衬底表面的部分天然氧化物会产生硅的选择性蚀刻利用原子力显微镜 ， 氢氧化钾溶液中硅的蚀刻率 。 这些特征表明 ， 所提出的测量硅蚀刻速率的方法具有合理的创新性 。
最后通过提出简单、低成本的氢氧化钾溶液中硅蚀刻速率的测定方法 ， 硅衬底表面上的天然氧化物作为掩膜 ， 以实现硅的选择性蚀刻 。 在该方法中 ， 通过对原子力显微镜上的二氧化硅微球的摩擦化学反应 ， 部分去除硅衬底上的天然氧化物 ， 去除过程不会破坏地下硅的结构 。 因此 ， 新鲜的地下硅可以平滑地暴露和蚀刻 ， 通过对AFM的原子精度测量 ， 可以检测到硅的超浅蚀刻深度 ， 这可以在低碱pH（或超低浓度）的氢氧化钾溶液中获得蚀刻速率 ， 该方法可以提供一种新的、简单的测量某些材料蚀刻速率的概念 ， 并确保材料蚀刻工艺设计所需的蚀刻速率的高精度测量 。
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